0510-83550936

13921398638

IGBT电镀全镀镍2-6um


IGBT电镀模块工作原理
(1)办法
        IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用笔直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有高的电阻率,因而造胜利率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,可是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个规范双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。


相关产品