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IGBT电镀模块工作原理

公布时间:2022/03/22 14:57:24 浏览量:577 次
(1)办法
        IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用笔直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有高的电阻率,因而造胜利率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,可是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个规范双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。

(2)导通
       IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构相似,主要差别是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个局部)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创立了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时呈现一个电子流,并完全依照功率MOSFET的方法爆发一股电流。如果这个电子流爆发的电压在0.7V范畴内,那么,J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调解阴阳极之间的电阻率,这种方法降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。最后的结果是,在半导体目标内临时呈现两种差别的电流拓扑:一个电子流(MOSFET电流);一个空穴电流(双极)。

(3)关断
       当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时,沟道被禁止,没有空穴注入N-区内。在任何情况下,如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降,集电极电流则逐渐降低,这是因为换向开始后,在N层内还保存少数的载流子(少子)。这种剩余电流值(尾流)的降低,完全取决于关断时电荷的密度,而密度又与几种因素有关,如掺杂质的数量和拓扑,目标厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形,集电极电流引起以下问题:功耗升高;交叉导通问题,特别是在使用续流二极管的设备上,问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关,尾流的电流值应与芯片的温度、IC和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此,根据所抵达的温度,降低这种作用在终端设备设计上的电流的不睬想效应是可行的。

(4)阻断与闩锁
       当集电极被施加一个反向电压时,J1就会受到反向偏压控制,耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度,将无法取得一个有效的阻断能力,所以,这个机制十分重要。另一方面,如果过大地增加这个区域尺寸,就会连续地提高压降。第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC和速度相同)PT器件的压降高的原因。
       当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时,P/NJ3结受反向电压控制,此时,仍然是由N漂移区中的耗尽层接受外部施加的电压。
       IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管。在特殊条件下,这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加,对等效MOSFET的控制能力降低,通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁,具体地说,这种缺陷的原因互不相同,与器件的状态有密切关系。通常情况下,静态和动态闩锁有如下主要区别:
       当晶闸管全部导通时,静态闩锁呈现,只在关断时才会呈现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了平安操作区。为避免寄生NPN和PNP晶体管的有害现象,有须要接纳以下步伐:避免NPN局部接通,辨别改变结构和掺杂级别,降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。别的,闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响,因此,它与结温的关系也十分密切;在结温和增益提高的情况下,P基区的电阻率会升高,破坏了整体特性。因此,器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间坚持一定的比例,通常比例为1:5。


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